一、产品概述

由微波源、真空系统、供气系统、微波传输及微波谐振腔等部分组成。适合大学近现代物理、材料、化学等领域进行微波CVD原理与方法的教学、研究，金刚石与类金刚石薄膜制备实验及科学研究，以及用于生长碳纳米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜，具有生长速度快、操作简便、性价比高等优点。同时可完成等离子体刻蚀加工实验、微波等离子体表面改性等实验。

二、实验内容

1、生长碳纳米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜；

2、金刚石与类金刚石薄膜制备实验及科学研究；

3、等离子体刻蚀加工实验、微波等离子体表面改性实验。

三、技术参数

DH2008微波CVD薄膜制备装置

1、薄膜沉积室：Φ50×H300 mm石英玻璃真空室；

2、微波功率：0～800W连续可调输出；微波传输模式：TE10模式模式传输；

3、真空测量：数显电阻真空计；

4、压强控制：数显压阻真空计。

DH2008A微波CVD薄膜制备装置

1、薄膜沉积室：Φ50×H300 mm石英玻璃真空室；

2、微波功率：0～800W连续可调输出；微波传输模式：TE10模式模式传输；

3、真空测量：数显电阻真空计；

4、压强控制：数显压阻真空计。

DH2008K微波CVD薄膜制备装置

1、薄膜沉积室：Φ50×H300 mm石英玻璃真空室；

2、微波功率：0～800W连续可调输出；微波传输模式：TE10模式模式传输；

3、真空测量：数显电阻真空计；

4、压强控制：数显压阻真空计。

DH2008F微波CVD薄膜制备装置

1、薄膜沉积室：Φ50×H300 mm石英玻璃真空室；

2、微波功率：0～800W连续可调输出；微波传输模式：TE10模式模式传输；

3、真空测量：数显电阻真空计；

4、压强控制：数显压阻真空计。